Характеристики IGBT-модулей со

(Встречно-включенный диод и мощный радиатор)

(Для ознакомления. Не использовать в курсовом проекте)

 

Название (фирма производитель)* Макс.рабочее напряж. коллектор-эммитер VCES (B) Макс. ток коллектора Iс (А) Напряж. насыщения коллектор-эммитер VCE(on) typ. (B)при VGE =10 (B) Время задержки вкл./выкл. при Ткорп=25°C td(on) / td(off) (нс) Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс) Время восстановления демпферного дидода tRR (нс) Тепловое сопротивление переход-охладитель RThJH (°C /Вт) Конфигурация схемы
IGBT-модули серии U
CM350DU-5F(СМ) 1.2 1100/900 2400/500 0.13 Полумост
CM600HU-12H (СМ) 2.4 300/350 600/350 0.08 Отд. ключ
CM300DU-12H (СМ) 2.4 250/350 500/300 0.14 Полумост
CM75BU-12H (СМ) 2.4 100/200 250/300 0.4 Мост
IGBT-модули серии A (CSTBT) в корпусе серии U
CM400HA-24A (СМ) 3.0 550/600 180/350 0.053 Отд. ключ
CM600HB-24A (СМ) 3.0 660/700 190/350 0.034 Отд. ключ
CM150DY-24A (СМ) 3.0 200/400 100/350 0.13 Полумост
CM300DY-24A (СМ) 3.0 500/500 140/350 0.046 Полумост

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

IR -International Rectifier

ST -STMicroelectronics, Inc.

СМ - Mitsubishi Electric Corp.

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 7

N-канальные SENSE-МДП-транзисторы

Название (фирма производитель)* Макс.рабочее напряж. сток-истока Vds (B) Сопротивление сток-исток в открытом состоянии при напряжении затвора Vg=10В Rdson max (мОм) Ток стока при Ткорп=25°C Id (А) Заряд затвора Qg (нК) Рассеивающая мощность при Ткорп=25°C Pd (Вт) Абсолютное макс. напряжение затвора Vgs max (В) Время задержки вкл./выкл. td(on) / td(off) (нс) Время нарастания/спада тока стока (при условиях как для времени задержки) tR / tF (нс) Тепловое сопротивление переход-корпус ТJC Ток затвора статический IG СТ. (нА)
BUK7C06-40AITE (NXP) 4.7 VDS=32V VGS=10V ID=25A ±20 35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 115/110 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 650
BUK7C08-55AITE (NXP) 6.8 VDS=44V VGS=10V ID=25A ±20 35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 115/110 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 488
BUK7C10-75AITE (NXP) 8.8 VDS=60V VGS=10V ID=25A ±20 35/185 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 108/100 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 500
BUK7105-40AIE (NXP) 4.5 VDS=32V VGS=10V ID=25A ±20 35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 115/110 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 506
BUK7107-55AIE (NXP) 5.8 VDS=44V VGS=10V ID=25A ±20 36/159 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 115/111 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 502
BUK7108-40AIE (NXP) VDS=44V VGS=10V ID=25A ±20 19/121 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 76/122 0.68 К/Вт ±300
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 490
BUK7109-75AIE (NXP) VDS=60V VGS=10V ID=25A ±20 35/185 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 108/100 0.55 К/Вт ±1000
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 500
BUK7905-40AI (NXP) 4.5 VDS=32V VGS=10V ID=25A ±20 35/155 VDS=30V RL=1.2Ω VGS=10V RG=10Ω 115/110 0.55 К/Вт ±100
VGS = 20В K0 = ID / ISENSE = 507

ПРИЛОЖЕНИЕ 7 (продолжение)

Si4730EY (VISH/IR) 11.7 VDS=15V VGS=10V ID=11.7A 3.6 на 1”x1” ±20 13/60 ID=1A RL=15Ω VDD=15V VGEN=10V RG=6Ω 10/20 - ±100
VGS = 16В K0=ID/ISENSE=345 при RS=1.1Ω K0=ID/ISENSE=418 при RS=2.2Ω K0=ID/ISENSE=660 при RS=4.7Ω K0=ID/ISENSE=815 при RS=6.6Ω
Si6862DQ (VISH/IR) 6.6 VDS=10V VGS=4.5V ID=5.2A 1.8 на 1”x1” ±20 28/80 ID=1A RL=10Ω VDD=10V VGEN=4.5V RG=6Ω 40/45 - ±100
VGS = 12В K0=ID/ISENSE=200 при RS=1.06Ω K0=ID/ISENSE=370 при RS=4.73Ω K0=ID/ISENSE=593 при RS=9.97Ω K0=ID/ISENSE=798 при RS=14.96Ω K0=ID/ISENSE=940 при RS=17.97Ω
SUM50N03-13LC (VISH/IR) VDS=15V VGS=20V ID=50A ±20 10/30 ID=50A RL=0.3Ω VDD=15V VGEN=10V RG=2.5Ω 93/10 1.8 °C/Вт ±100
VGS = 20В K0=ID/ISENSE=420 при RS=0.5Ω K0=ID/ISENSE=500 при RS=1.1Ω K0=ID/ISENSE=610 при RS=2.2Ω K0=ID/ISENSE=920 при RS=4.7Ω K0=ID/ISENSE=1135 при RS=6.6Ω
SUM60N08-07C (VISH/IR) VDS=35V VGS=10V ID=60A ±20 15/75 ID=60A RL=0.6Ω VDD=35V VGEN=10V RG=2.5Ω 130/120 0.5 °C/Вт ±100
VGS = 20В K0=ID/ISENSE=1830 при RS=1Ω K0=ID/ISENSE=2090 при RS=2Ω K0=ID/ISENSE=2600 при RS=5Ω K0=ID/ISENSE=2920 при RS=6Ω
IRC 630 ±20 15/75 ID=60A RL=0.6Ω VDD=35V VGEN=10V RG=2.5Ω 28/20 0.55 °C/Вт ±100
VGS = 10В K0=ID/ISENSE=1570  

*Расшифровка фирм производителей (подробнее см. приложение 10)

VISH/IR - Vishay (Vishay Seliconix)

ONS -On Semiconductor

NXP - NXP Semiconductor

 


ПРИЛОЖЕНИЕ 8

Драйверы*

Все представленные драйверы производятся фирмой International Rectifier. Температура их эксплуатации ТА = -40...125°C

Название [новая модель] Напряжение управляемого ключа Выходное напряжение VHO / VLO ,В {VO ,В} Напряжение питания VCC Логическое входное напряжение (типы логических входов) VIN Выходные токи +/-IOUT Входные токи +/-IIN,мкА Время задержки вкл./выкл. td(on)/td(off),нс Время нараста-ния/спада tR/tF,нс Краткое описание
Драйверы нижнего ключа
IR2121 - {-0.6...25.3} 12...18 -0.3...25.3 (IN) +1/-2 +4.5/-1 150/150 43/26 TTL/CMOS UVLO ERR
IR4426/ IR4427/ IR4428 [IRS4426/ IRS4427/ IRS4428] - {-0.6...25.3} 6...20 -0.3...25.3 +2.3/-3.3 +5/-10 160/150 [95/95] 35/25 [55/55] Dual IN/OUT
Драйверы полумоста
IR2184 [IRS2184] -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -25.6...35.3 [-20.6...20.3] (IN,SD/N) +1.9/-2.3 +25/-1 [+25/-5] 900/400 90/40 TTL/CMOS VBS UVLO SD/N
IR2308 [IR2308S] -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -20.3...25.3 (HIN,LIN) +0.2/-0.35 +5/-1 [+5/-2] 300/280 220/80 TTL/CMOS VBS UVLO
IR2103 [IRS2003] [200] -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -0.3...25.3 (HIN,LIN/N) +0.29/-0.6 +3/-1 [+3/-5] 820/220 170/90 TTL/CMOS UVLO VBS
IR2104 [IRS2104] -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -20.3...25.3 (IN,SD/N) +0.29/-0.6 +10/-1 [+3/-5] 820/220 170/90 TTL/CMOS VBS UVLO SD/N
Драйверы нижнего и верхнего ключей
IR2607 -0.6...620.3 / -0.3...20.3 10...20 -20.3...25.3 (HIN,LIN) +0.2/-0.35 +5/-2 715/700 220/80 TTL/CMOS VBS UVLO
IR2213 [IR2213S] -0.6...1225.3 / -0.3...25.3 12...20 -25.6...25.3 (HIN,LIN,SD) +2/-2.5 +20/-1 280/225 25/17 TTL/CMOS VBS UVLO SD
[IRS2001] -0.6...225.3 / -0.3...25.3 10...20 -0.3...25.3 (HIN,LIN) +0.29/-0.6 +3/-5 220/220 90/50 TTL/CMOS VBS UVLO
IR2113 [IRS2113] -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -25.6...50.6 [-20.3...45.6] (HIN,LIN,SD) +2.5/-2.5 +20/-1 [+20/-5] 150/125 [160/150] 35/25 TTL/CMOS VBS UVLO SD
IR2181 -0.6...625.3 / -0.3...25.3 10...20 -25.6...35.3 (HIN,LIN) +1.9/-2.3 +25/-1 270/330 60/35 TTL/CMOS VBS UVLO
IR2186 -0.6...620.3 / -0.3...20.3 10...20 -20.6...20.3 (HIN,LIN) +4/-4 +25/-5 250/250 38/30 TTL/CMOS VBS UVLO
IR2110 -0.6...525.3 / -0.3...25.3 10...20 -25.6...50.6 (HIN,LIN,SD) +2.5/-2.5 +20/-1 150/125 35/25 TTL/CMOS VBS UVLO SD

*Условные обозначения к таблице: VBS - используется для бутстрепного питания.

Dual IN/OUT - означает наличии двух логических входов INA и INB для модели IR4426; INA и INB для модели IR4427; INA и INB для модели IR4428; и соответственно два выхода OUTA и OUTB для всех трех моделей.

HIN - логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня.

ПРИЛОЖЕНИЕ 8 (продолжение)

LIN - логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня.

HIN/N - инверсный логический вход управления выходом драйвера верхнего уровня.

LIN/N - инверсный логический вход управления выходом драйвера нижнего уровня.

TTL, CMOS или TTL/CMOS - характеристика входного сигнала (TTL - ТТЛ, CMOS - КМОП).

UVLO (UnderVoltage LockOut) - присутствует пониженное напряжение блокировки. ERR - есть вход сигнала ошибки.

SD (Shutdown) - присутствует входная логика отключения. SD/N - присутствует инверсная входная логика отключения.

 

 

ПРИЛОЖЕНИЕ 9